Samsung ha aggiornato i propri piani per le future tecnologie dedicate alla produzione di semiconduttori, delineando una strategia che punta a rafforzare la competitività nei confronti di TSMC e Intel. Durante il SAFE Forum 2026, l'azienda ha confermato che lo sviluppo del nodo produttivo a 1,4 nanometri procede secondo i programmi e ha annunciato una versione evoluta della stessa tecnologia.
La nuova roadmap evidenzia come Samsung intenda continuare a investire sia sui processi inferiori ai 2 nanometri sia sull'evoluzione della propria piattaforma a 2 nanometri, con l'obiettivo di ampliare l'offerta destinata ai produttori di chip per dispositivi mobili, server e applicazioni di IA.
Samsung aggiorna la roadmap dei processi produttivi a 1,4 e 2 nanometri
La principale novità riguarda il processo SF1.4+, una versione migliorata del nodo produttivo a 1,4 nanometri. Secondo quanto comunicato durante l'evento, la produzione di massa del processo SF1.4 dovrebbe iniziare nel 2029, mentre SF1.4+ è prevista per il 2030. La tabella di marcia colloca quindi Samsung circa un anno dietro rispetto a TSMC, che continua a mantenere un vantaggio nello sviluppo delle tecnologie litografiche più avanzate.
Uno dei principali ostacoli per Samsung negli ultimi anni è stato rappresentato dalle rese produttive, fattore determinante per rendere sostenibile la produzione dei chip di nuova generazione. Per migliorare questo aspetto, l'azienda ha adottato un approccio denominato DTCO, acronimo di Semiconductor Design and Process Integration Optimization. La metodologia punta a ottimizzare contemporaneamente progettazione e processo produttivo, incrementando prestazioni ed efficienza energetica senza richiedere modifiche sostanziali alla proprietà intellettuale già sviluppata dai clienti.
Samsung afferma di aver già applicato questa tecnica alle prime due generazioni del proprio processo produttivo a 2 nanometri con transistor GAA, ottenendo miglioramenti fino al 26% nei consumi energetici e fino al 15% nelle frequenze operative. L'azienda ritiene che questo tipo di ottimizzazione diventerà sempre più importante man mano che la miniaturizzazione dei semiconduttori proseguirà.
Parallelamente continua lo sviluppo della terza generazione del processo a 2 nanometri, identificata come SF2P+, la cui produzione di massa è prevista tra il 2027 e il 2028. Samsung sta inoltre realizzando una variante denominata SF2X, progettata specificamente per acceleratori dedicati all'IA e sistemi di calcolo ad alte prestazioni, mantenendo la compatibilità con l'attuale ecosistema di progettazione.
Per conoscere i dettagli della nostra policy editoriale, è disponibile la pagina etica.
