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Samsung avvia la produzione di massa di HBM4 per AI e data center e invia sample LPDDR6X a Qualcomm

Samsung avvia la produzione di massa di HBM4 fino a 13 Gbps e 48 GB per data center e AI, mentre invia sample LPDDR6X a Qualcomm per i chip AI250.

NOTIZIA di Francesco Messina   —   12/02/2026
Samsung

Samsung ha ufficialmente avviato la produzione di massa della memoria HBM4, segnando un passo fondamentale per i data center e le applicazioni di intelligenza artificiale ad alte prestazioni. L'HBM4 offre velocità fino a 13 Gbps e capacità massime di 48 GB per singolo stack 16-Hi, con un'ampiezza di banda fino a 3,3 TB/s, garantendo prestazioni superiori rispetto al predecessore HBM3E.

Grazie a una produzione basata su tecnologia DRAM di classe 10nm 1c e processi logici a 4nm, Samsung ha raggiunto rendimenti stabili sin dall'inizio, senza necessità di redesign. La memoria supporta stack da 12 strati (24-36 GB) e 16 strati (fino a 48 GB), con miglioramenti in efficienza energetica del 40%, resistenza termica del 10% e dissipazione del calore del 30% rispetto a HBM3E.

Samsung inizia a spedire i sample LPDDR6X a Qualcomm

Parallelamente, Samsung ha iniziato a spedire sample della LPDDR6X a partner come Qualcomm, anticipando il lancio commerciale della LPDDR6 nella seconda metà del 2026.

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La memoria LPDDR6 offre 10,7 Gbps iniziali con un incremento di efficienza del 21% rispetto alla LPDDR5, mentre varianti migliorate potranno raggiungere oltre 14,4 Gbps.

Qualcomm utilizzerà la LPDDR6X nei futuri chip AI250, successori dell'AI200, per carichi di inferenza AI su larga scala, con capacità oltre 1 TB previste per soluzioni ottimizzate per costo e consumo energetico.

Samsung leader nel mercato della memoria avanzata

Mentre HBM rimane più veloce, il suo costo elevato e la complessità produttiva rendono LPDDR un'alternativa più economica e scalabile, particolarmente indicata per acceleratori IA ad alta capacità. Samsung punta così a offrire una soluzione completa sia per GPU e ASIC di prossima generazione sia per infrastrutture data center.

Samsung Semiconductors Industry First Commercial Hbm4 Main3

La combinazione tra HBM4 per massime prestazioni e LPDDR6X per soluzioni cost-effective consolida Samsung come leader nel mercato della memoria avanzata, garantendo velocità, efficienza energetica e affidabilità per IA, gaming e applicazioni professionali.

La produzione e le spedizioni di HBM4 sono già operative, mentre il sampling di HBM4E inizierà nella seconda metà del 2026 e raggiungeranno i clienti nel 2027.