Qualcomm si prepara a un autunno importante, con il debutto del suo prossimo chip di fascia alta per smartphone Android. In attesa del primo processore a 2 nanometri, previsto soltanto per il 2026, l'azienda di San Diego è pronta a presentare un'evoluzione del suo attuale top di gamma.
Ma se l'uscita del nuovo Snapdragon 8 Elite Gen 5 è ormai dietro l'angolo, visto che è atteso per il 23 settembre, ma le indiscrezioni emerse non raccontano di grossi miglioramenti.
I primi dati su Snapdragon 8 Elite Gen 5
Le informazioni diffuse dall'insider noto come Digital Chat Station indicano che il nuovo SoC offrirà frequenze di lavoro più elevate, sia per i core ad alte prestazioni sia per quelli a maggiore efficienza. Tuttavia, il consumo energetico complessivo dovrebbe rimanere simile a quello della generazione attuale, senza quindi benefici tangibili in termini di efficienza. Un dettaglio che potrebbe deludere chi sperava in passi avanti sul fronte dell'autonomia.
Il motivo sarebbe da ricercare nell'impiego del processo produttivo N3P di TSMC, una variante ottimizzata della litografia a 3 nanometri già utilizzata per lo Snapdragon 8 Elite. Si tratta di un "optical shrink" (una tecnica utilizzata nell'industria dei semiconduttori per ottenere un miglioramento della densità dei transistor e delle prestazioni senza introdurre un processo litografico completamente nuovo), che consente un incremento stimato intorno al 5% delle prestazioni a parità di consumo, oppure un miglioramento dell'efficienza compreso tra il 5 e il 10% mantenendo le stesse frequenze. Una scelta che consente a Qualcomm di spingere le performance, ma che non rivoluziona i parametri di consumo.
Nonostante questo limite, i primi test ufficiosi mostrerebbero progressi significativi. Su un prototipo di Galaxy S26 Edge equipaggiato con una versione leggermente sotto frequenza del chip, con core a 4,00 GHz invece che a 4,74 GHz, i punteggi in single-core e multi-core sarebbero comunque superiori a quelli registrati dall'attuale Snapdragon 8 Elite. Questo dato suggerisce che Qualcomm abbia margini per spremere ulteriormente le capacità dell'architettura, pur restando vincolata alle caratteristiche del nodo litografico.
Un aspetto da considerare è il ruolo delle batterie di nuova generazione. I produttori cinesi stanno adottando con sempre maggiore frequenza celle al silicio-carbonio, capaci di offrire capacità più elevate senza incrementare troppo gli ingombri, come nel caso dell'incredibile prototipo di Realme. Questa soluzione potrebbe bilanciare i consumi del nuovo SoC, permettendo agli smartphone di mantenere un'autonomia soddisfacente nonostante la maggiore potenza di calcolo.
La vera svolta dovrebbe comunque arrivare con la generazione successiva, attesa nel 2026, quando Qualcomm potrà contare sul passaggio ai 2 nanometri. In quella fase ci si aspetta un salto più consistente sia in termini di efficienza sia di prestazioni, aprendo la strada a dispositivi più potenti e al tempo stesso meno energivori.
